歐電阻的溫度影響精度測試分析

時間：2020-01-05作者：長春艾克思科技有限責任公司瀏覽：928

長春艾克思科技有限責任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測試儀,TEC溫度控制器等

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  詞條說明

• MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析

  MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析 BJT?管并聯(lián)均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4

• 可編程高壓電源

  一、應用范圍 1、高壓實驗 2、電器設備的絕緣耐壓測試 3、 高壓電容耐壓測試 4、電子加速實驗 5、 電離空氣產(chǎn)生等離子體 6、半導體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試 二、電源參數(shù) 類型 數(shù)值 單位 備注 輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調(diào)節(jié)輸出的0-20kv 過流保護 5 W 當輸出功率大于5W時，電源自動啟動保護 輸出功率 0

• 首創(chuàng)：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能！

  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能！ 電光調(diào)Q開關是利用晶體的電光效應制成的Q開關。電光調(diào)Q開關的開關速度快、器件的效率高等優(yōu)點！但是正是由于較高的開關速度，在調(diào)Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應，這一效應增大了調(diào)Q開關的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應：調(diào)Q驅(qū)動器通過導線和晶體連接，連接導線等效為一個諧振電感L，晶體等效為一個諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過程是一個高壓窄脈沖過程，高壓脈

• 針對美容機行業(yè)，公司最新推出100Hz調(diào)Q模塊和1Khz調(diào)Q模塊。

  針對美容機行業(yè)，公司較新推出100Hz調(diào)Q模塊和1Khz調(diào)Q模塊。 美容機行業(yè)普遍采用低頻LD泵浦的電光調(diào)Q激光器、燈泵調(diào)Q固體激光器、工作頻率一般不**過100Hz，長春艾克思科技有限責任公司（Changchun AIKS Technology Co., Ltd.）和武漢亞格光電技術有限公司協(xié)同研制出了100Hz調(diào)Q模塊，該模塊分為退壓調(diào)Q模塊和加壓調(diào)Q模塊兩種，現(xiàn)已經(jīng)廣泛用于美容機行業(yè)，該模塊可