晶閘管工作原理

時(shí)間：2020-06-27作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：818

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 晶閘管在焊機(jī)中的應(yīng)用

  焊機(jī)的工況是間歇性的。即晶閘管工作時(shí)結(jié)溫升高，停止工作時(shí)結(jié)溫降至一定值。再次工作，結(jié)溫在此值的基礎(chǔ)上升高。這里應(yīng)該使用晶閘管設(shè)計(jì)實(shí)例1中提到的瞬態(tài)熱阻的概念。在這種情況下，熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定。計(jì)算公式見(jiàn)圖1。圖1在幾種常見(jiàn)載條件下等效結(jié)溫的計(jì)算公式(一)舉例說(shuō)明。例1:某焊機(jī)采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負(fù)荷工作時(shí)，導(dǎo)角120°。每個(gè)晶閘管的平均電流為66.有效電

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 整流橋模塊

  整流橋是橋式整流電路的實(shí)物產(chǎn)品，那么實(shí)物產(chǎn)品該如何接線到實(shí)際電路中呢？一般來(lái)講整流橋4個(gè)腳位都會(huì)有明顯的極性說(shuō)明，工程設(shè)計(jì)接線圖的時(shí)候已經(jīng)將安裝方式固定下來(lái)了，那么在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中只需要，對(duì)應(yīng)線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種，一個(gè)是實(shí)物產(chǎn)品與電路圖的對(duì)應(yīng)方式。左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，B3作為整流正極輸出，C4作為整流負(fù)極輸出，A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式，

• 可控硅調(diào)壓模塊的幾種應(yīng)用電路

  可控硅調(diào)壓模塊的幾種應(yīng)用電路可控硅 是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，控制電路簡(jiǎn)單，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問(wèn)題很重要，通常都是通過(guò)光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制較。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾