芯片失效分析流程

時間：2020-03-24作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：133

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• 詞條

  詞條說明

• 芯片開封decap簡介及芯片開封在失效分析中應(yīng)用案例分析

  半導(dǎo)體元器件失效分析性測試?2024年07月08日 15:32?北京DECAP：即開封，業(yè)內(nèi)也稱開蓋，開帽。是指將完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來 ，同時保持芯片功能的完整無損，為下一步芯片失效分析實驗做準(zhǔn)備，方便觀察或做其他測試。通過芯片開封，我們可以為直觀的觀察到芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從而結(jié)合OM，X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點位和失效的可能原因。開封方法及注意

• 掃描電鏡（SEM）

  掃描電鏡（SEM） 服務(wù)介紹：SEM/EDX（形貌觀測、成分分析）掃描電鏡（SEM）可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長和強度實現(xiàn)的，根據(jù)不同元素特征X射線波長的不同來測定試樣所含的元素。通過對比不同元素譜線的強度可以測定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡（SEM）使用，可以對樣品進行微區(qū)成分分析。 服務(wù)范圍：**，航天，半導(dǎo)體，**

• 聚焦離子束顯微鏡FIB應(yīng)用

  1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展*，而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed Ion beam, F

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離