「喜訊」熱烈祝賀鵬城半導(dǎo)體榮獲4項軟件著作權(quán)**證書

時間：2022-06-06作者：鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司瀏覽：175

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司專注于PVD鍍膜設(shè)備,化學(xué)氣相沉積,金剛石涂層等

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  詞條說明

• 鵬城半導(dǎo)體亮相第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇

  一年一度行業(yè)盛會，*八屆***三代半導(dǎo)體論壇（IFWS ）&*十九屆中國**半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于2023年2月7日-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場被視為“***三代半導(dǎo)體行業(yè)*”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學(xué)未來材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發(fā)明

• 化學(xué)氣相沉積設(shè)備（CVD）-小型管式LPCVD設(shè)備

  LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W(xué)研究、實踐教學(xué)、小型器件制造。小型管式LPCVD設(shè)備設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角?；螤铑愋停翰灰?guī)則形狀的散片、φ2～4

• 新一代半導(dǎo)體技術(shù)-真空鍍膜技術(shù)的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

  摘要：隨著可持續(xù)發(fā)展觀的深入普及和社會經(jīng)濟的快速發(fā)展，經(jīng)濟與環(huán)保協(xié)同發(fā)展成為當(dāng)下企業(yè)發(fā)展和科技創(chuàng)新的主要趨勢。傳統(tǒng)的通電鍍膜技術(shù)會產(chǎn)生較大的污染，且鍍膜質(zhì)量不高，經(jīng)濟效益低下，已逐漸退出歷史舞臺，取而代之的是技術(shù)較加**、鍍膜質(zhì)量較加優(yōu)秀的真空鍍膜技術(shù)。真空鍍膜技術(shù)始于20世紀(jì)30年代，當(dāng)前真空鍍膜技術(shù)已從實驗室走向了工廠，實現(xiàn)了大規(guī)模生產(chǎn)，在光伏、建筑、裝飾、通訊、照明等工業(yè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用

• 為您提供高性價比真空鍍膜設(shè)備解決方案《520愛情風(fēng)暴來襲》

  真空鍍膜設(shè)備的薄膜制作過程，簡單來說就是將一種材料(薄膜材料）轉(zhuǎn)移到另一種材料(基底)的表面，形成和基底牢固結(jié)合的薄膜的過程。所以，任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發(fā)、遷移和凝聚三個重要環(huán)節(jié)。多功能磁控濺射儀一、鍍膜蒸發(fā)源“源"的作用是提供鍍膜的材料（或被鍍材料中的某種組分)。通過物理或化學(xué)的方法使鍍膜材料成為氣態(tài)物質(zhì)。熱絲CVD金剛石設(shè)備二、遷移過程遷移過程都是在氣相中進行的，在氣態(tài)物質(zhì)遷