可控硅：新能源電源的靜默推手

時(shí)間：2025-04-03作者：深圳市凱高達(dá)科技有限公司瀏覽：21

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• 單向可控硅BT169D性能解析與應(yīng)用實(shí)踐

  ###?單向可控硅BT169D性能解析與應(yīng)用實(shí)踐####?性能特征BT169D作為平面型塑封單向可控硅，其技術(shù)參數(shù)展現(xiàn)出的工程定位。在25℃環(huán)境溫度下，器件維持400V重復(fù)峰值電壓（VRRM）與4A通態(tài)平均電流（IT(AV)）的平衡設(shè)計(jì)，浪涌電流承受能力達(dá)到40A（50Hz/10ms）。觸發(fā)特性方面，門觸發(fā)電流（IGT）典型值0.2mA，觸發(fā)電壓（VGT）不過1.5V，適用于低

• BT151

  *元件品牌--韓國KCD *元件型號--BT151 *主要用途 各種**開關(guān)器，繼電器與燈控制，小型馬達(dá)控制器， 漏電保護(hù)器，電子鎮(zhèn)流器，傳感與檢測電路，大功率 可控硅門較驅(qū)動，摩托車點(diǎn)火器等線路功率控制。 *封裝外形--TO-220 *管腳排列--K-A-G *極限值： （Ta=25℃） Tstg—貯存溫： -40~150℃ Tj—結(jié)溫： -65-125℃ IT（max）—通態(tài)電流： 8.0A

• 可用石墨烯實(shí)現(xiàn)大功率半導(dǎo)體設(shè)備大幅降溫

  據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)5月9日(北京時(shí)間)報(bào)道，美國加州大學(xué)河濱分校伯恩斯工程學(xué)院的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù)，可借助石墨烯實(shí)現(xiàn)大功率半導(dǎo)體設(shè)備的大幅降溫，解決在交通信號燈和電動汽車中使用的半導(dǎo)體材料散熱問題。相關(guān)研究報(bào)告5月8日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。 自上世紀(jì)90年代以來，半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)就被用于強(qiáng)光的制造，并因?yàn)楦咝Ш涂赡透唠妷汗ぷ鞫挥糜跓o線設(shè)備中。然而就像所有大功率操作設(shè)備一樣，氮

• 臺積電2013年擬增加25%的資本支出，以擴(kuò)充其產(chǎn)能

  北京時(shí)間9月10日上午消息，閩臺《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》今天援引消息人士的消息稱，**較大的芯片代工制造企業(yè)臺積電2013年擬增加25%的資本支出，以擴(kuò)充其產(chǎn)能。 《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》的報(bào)告稱，到2013年下半年，臺積電將為蘋果公司量產(chǎn)新一代處理器。該報(bào)告稱，臺積電今年的資本支出在80億美元至85億美元之間。按照25%的增幅，臺積電2013年的資本支出將達(dá)到100億美元。 此前，有消息稱，蘋果和高通此前曾分別試圖向