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IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
電力電子變頻器是將交流電源轉(zhuǎn)換為可調(diào)頻率和可調(diào)幅度的交流電源的裝置。使用富士IGBT作為電力電子變頻器的主要功率開關(guān)器件具有以下作用:高效能轉(zhuǎn)換:富士IGBT具有低導(dǎo)通壓降和低開關(guān)損耗的特性,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換,從而提高電力電子變頻器的效率。這有助于減少能源消耗和發(fā)熱,并降低系統(tǒng)運行成本。高頻操作:電力電子變頻器通常需要在高頻范圍進(jìn)行操作,而富士IGBT具有快速的開關(guān)速度和較高的工作頻率,可以滿
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點,如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的
1、一般保存IGBT模塊的場所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5℃~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機加濕。2、盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。3、在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。4、IGBT模塊在未投入生產(chǎn)時不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。上述就是為你介紹的有關(guān)IG
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
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