KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用

時間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：32

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• 美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應(yīng)用

  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

  立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學(xué)惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導(dǎo)率/ 在寬波長范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導(dǎo)體等特點, 在切削工具/ 材料/ 光學(xué)元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應(yīng)用潛力.?在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用

• 上海伯東 HVA 真空插板閥應(yīng)用于半導(dǎo)體管道中

  因產(chǎn)品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準(zhǔn)。美國 HVA?真空插板閥在半導(dǎo)體管道中的應(yīng)用半導(dǎo)體后端工藝制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊氣體, 氣體管路系統(tǒng) ( 真空管路 ) 的作用是把各種氣體在滿足工藝制程要求的純度, 壓力和流量的前提下安全穩(wěn)定的供應(yīng)到工藝設(shè)備內(nèi). 上海伯東美國 HVA?插板閥廣泛用于高真空或**高真空的氣體輸送環(huán)節(jié),

• HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機

  國內(nèi)某?OLED?鍍膜機廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列，尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標(biāo)準(zhǔn)不銹鋼氣動高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??下圖是某?OLED?鍍膜機廠家配置上海伯東美