KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：37

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺(tái)

  Pfeiffer?分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺(tái)真空探針臺(tái)一般用于復(fù)雜, 高速精密器件進(jìn)行表面觀測(cè)以及各種性能測(cè)試的儀器, 通過(guò)測(cè)試可以產(chǎn)品的質(zhì)量和性并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本. 探針臺(tái)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè), 光電行業(yè), 集成電路以及封裝的測(cè)試為什么需要真空環(huán)境?1. 真空探針臺(tái)通過(guò)搭配分子泵組, 配合真空吸附卡盤(pán)及真空吸附探針座的使用, 通過(guò)空氣壓縮, 固定樣品及探針座.2. 由

• 上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用

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• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過(guò)渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在對(duì)硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學(xué)性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用

  上海伯東美國(guó)?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個(gè)離子源主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性