西門子觸摸屏有哪些用處

時(shí)間：2023-10-28作者：深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行瀏覽：511

深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行專注于回收三菱IGBT,回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT等, 歡迎致電 +86 13128707396

• 詞條

  詞條說明

• 【回收富士IGBT】IGBT的靜態(tài)特性

  IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水

• 【回收富士IGBT】IGBT短路試驗(yàn)

  IGBT短路試驗(yàn)：首先明確一點(diǎn)，IGBT的短路和過流區(qū)別！IGBT短路分為一類短路和二類短路一類短路指直通雙橋壁的另一個(gè)IGBT，讓另一個(gè)IGBT導(dǎo)通，回路中雜散電感很小，nH的電感二類短路指回路中雜散電感很大，uH的電感，屬于過流！短路電感很小，電流上升很快，危害性很大，過流時(shí)，電流上升相對(duì)慢！當(dāng)采用霍爾傳感器進(jìn)行保護(hù)時(shí)，因?yàn)榛魻杺鞲衅骱蜑V波電路的延遲在ms量級(jí)，對(duì)于一類短路1us電流就能上升到

• 回收三菱IGBT公司

  IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一

• 【回收三菱IGBT】IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路有什么特點(diǎn)？

  （1）提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?，使IGBT可靠的開通和關(guān)斷。（2）提供足夠大的瞬時(shí)電流或瞬態(tài)功率，使IGBT能迅速建立柵控電場而導(dǎo)通。（3）具有盡可能小的輸入輸出延遲時(shí)間，以提高工作效率。（4）具有足夠高的輸入輸出電氣隔離性能，使信號(hào)電路與柵極驅(qū)動(dòng)電路絕緣。（5）具有靈敏的過流保護(hù)能力。上述就是為你介紹的有關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路有什么特點(diǎn)的內(nèi)容，對(duì)此你還有什么不了解的，歡迎前來咨詢我們網(wǎng)站，我們